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多孔硬质氧化铝膜是理想的合成纳米线结构的模板材料。然而通常的氧化铝模板制备较困难，合成纳米线的工艺复杂。采用交流电沉积的方法，在未去处铝基体的情况下，使金属沉积到硬质氧化膜孔中合成纳米线的工艺较简单，可省去减薄硬质氧化膜阻挡层并与基体分离、喷镀导电金属层等工序。然而施加交流电时，金属离子在硬质氧化膜孔中的沉积过程变得复杂。所以，交流电沉积条件下，探讨金属离子在多孔硬质氧化膜的沉积历程具有重要的意义。通过对铝及其合金硬质氧化工艺的研究，考察了硬质硬质氧化膜沉积金属粒子的电化学行为，并探讨了正弦交流电沉积中，金属离子在硬质硬质氧化膜孔内的沉积历程，得出以下结论：

1、在恒定电压下，铝硬质氧化的电流密度随时间的变化规律为：初始电流密度迅速下降，之后转为上升，后趋于稳定。20℃时氧化电压与稳定时的电流密度值呈指数关系变化。

2、高纯铝通过电化学抛光后，通---质氧化制备了有序的纳米尺寸孔洞的多孔硬质氧化膜。---硬质氧化膜的孔洞平均直径为约20nm，草酸的约为40nm，而磷酸硬质氧化膜的孔洞直径从50nm到120nm。

3、u-i曲线测试发现，高纯铝---硬质氧化膜具有单向导通的性能。阴极极化曲线的结果表明，高纯铝硬质氧化膜的阴极极化过程可分为三个阶段：初始时，电流密度变化较小而电位迅速负移，为克服硬质氧化膜阻挡层电阻阶段：电流密度迅速增大而电位变化较小的析氢阶段；之后电流密度变化较小而电位迅速负移的受氢离子扩散控制阶段。高纯铝硬质氧化膜愈厚，阴极电流密度愈小；孔径愈大，阴极极化电流密度愈大；阻挡层的厚度对阴极极化电流密度不产生影响；结果表明，阴极反应过程受氢离子的扩散控制。高纯铝硬质氧化膜阻抗的大小由硬质氧化膜阻挡层决定，阻挡层愈厚，光催化装置厂家，硬质氧化膜的阻抗愈大。氧化电压与阻挡层的厚度成正比，阻挡层在---、草酸和磷酸溶液中的成长率约为inm/v。

4、通过交流电沉积，发现金属锌能够沉积在ly12铝合金磷酸硬质氧化膜和复合硬质氧化膜的孔底。复合硬质氧化膜在---锌溶液中交流电沉积300s时，锌主要分布在硬质氧化膜孔底约2um内，沉积量为31.404ug/cm2。从阻抗的拟合计算结果发现，交流沉积过程中，首先对硬质氧化膜的阻挡层减薄，然后随着金属zn的沉积，阻挡层逐渐增厚。

5、采用交流电沉积的方法，在包含水溶液中，施加10v电压，室温下沉积5min时，可在ly12铝合金硬质硬质氧化膜上形成s复合膜。发现硬质氧化膜的厚度超过6.8um时才能形成均匀的ce复合膜。epma分析结果表明，复合膜表面稀土ce元素的平均含量为1.70(wt)%，且分布均匀，主要分布在硬质氧化膜多孔层的表层，分布---约为1.5um。经xrd和xps分析，沉积在硬质氧化膜孔中的ce主要以非晶态结构的3价和4价氢氧化物形式存在。

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